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楼主: miroz

SSD写入延迟寿命扩展设计资料

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发表于 2014-8-16 21:57:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
安全库半导体世界IT采购网半导体联盟
通过对SSD硬盘加入DDR RAM(2GB4GB8GB…)的写入缓存,来实现对SSD写入的延迟,使其在对某区块的数据的反复写入时内只需对DDR RAM进行写入,以实现写入次数的减少。由于在关机、断电或系统崩溃时,DDRRAM中存在数据,所以在此设计的SSD中需要电源实现(即集成可充电电池),以确保在关机、断电,或系统崩溃时,由主控将DDR RAM中的数据写入到NAND上。

要点:DDR RAM分块映射
DDR RAM中的内容为对SSD NAND中的区块的映射,当对SSD某区块或某些区块有写入请求时,将这些区块映射到DDR RAM中,写入的操作应该通过主控直接操作映射过来的DDR RAM中的区块,而不是写入到NAND中。
如果发生对这些区块的读操作时,主控应从DDR RAM中的区块读取数据;如果请求读的区块没有被映射到DDR RAM中时,才应从NAND中读取。
要点:两块交替映射(写入)
DDR RAM写入缓存的操作方式应该为两块交替的(比如:2GB的写入缓存应该是相当于两个1GB的写入缓存,第1GB区为A区,第2GB区为B区,A区映射满区块后,如果有新的非A区块中的写入请求时,应将这些区块映射到第B DDR RAM,同时将原第A区中较早映射的与此次写入请求相同数量的区块写入到NAND)。

在此方式上,为了提升效率可将2GB分成两个独立的1GB分别独立控制,即实现A区映射时,B区写入相同数量的较早区块;或B区映射新的写入请求时,A区回写相同数量的较早区块。

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发表于 2015-11-3 23:14:00 | 显示全部楼层
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GB,4GB,8GB…)的写入缓存,来实现对SSD写入的延迟,使其在对某区块的数据的反复写入时内只需对DDR RAM进行写入,以实现写入次数的减少。由于在关机、断电或系统崩溃时,DDRRAM中存在数据,所以在此设计的SSD中需要电源实现(即集成可充电电池),以确保在关机、断电,或系统崩溃时,由主控将DDR RAM中的数据写入到NAND上。
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发表于 2018-8-19 16:35:58 | 显示全部楼层
感谢楼主分享!
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发表于 2018-8-24 16:22:15 | 显示全部楼层
不错不错,谢谢
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Kinder 该用户已被删除
发表于 2018-8-29 17:26:21 | 显示全部楼层
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发表于 2020-11-5 21:32:20 | 显示全部楼层
楼主威武,谢谢分享
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发表于 2020-11-5 22:08:29 | 显示全部楼层
感谢楼主分享!
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发表于 2020-11-5 23:03:00 | 显示全部楼层
楼主威武,谢谢分享
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发表于 2020-11-5 23:24:43 | 显示全部楼层
这个不错,感谢分享啦
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发表于 2020-11-5 23:55:19 | 显示全部楼层
这个不错,感谢分享啦
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